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Response to 'comment on 'Threshold switching via electric field induced crystallization in phase change memory devices'' [Appl. Phys. Lett. 102, 236101 (2012)]

机译：对“关于“通过电场在相变存储器件中引起结晶的阈值切换”的评论”的响应。物理来吧102，236101（2012）]

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Diosdado, JAV; Ashwin, P; Kohary, KI; Wright, CD;
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年度 2016
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